姓名：郑辞晏 职称：校聘副教授 电子邮箱：ciyanzheng@126.com
研究领域（Field of Research）
主要科学研究领域为记忆元器件（忆阻器、忆容器、忆感器）建模理论、忆阻感存算一体化主动感知与计算理论、忆阻生理信号处理理论、主动健康理论等研究。
教育经历（Education experience）
2016/10-2020/03：西澳大利亚大学，电气工程，博士；
2015/09-2016/07：中国矿业大学，电力电子与电力传动，硕士（推免）；
2011/09-2015/06：中国矿业大学，电气工程及其自动化，学士。
工作经历(Experience)：
2020/06-至今：澳门十大娱乐网站平台，澳门十大电子正规游戏网站，校聘副教授；
科研项目（Research Projects）
[1] 国家自然科学基金委员会，国家自然科学基金青年科学基金，6210114，记忆元件建模方法及其构建的可编程前端放大模块研究，2021020208742022.01至2024.12，30万元，在研，主持.
[2] 广州市科技局，广州市科技计划基础研究计划-基础与应用基础研究项目（博士青年科技人员类），面向连续心率监测的忆阻自适应滤波去噪电路研究，202102020874，2021.4至2023.4，5万元，在研，主持.
[3] 广东省教育厅，广东省普通高校特色创新项目申请书(自然科学)，2021KTSCX062，面向可穿戴边缘智能的忆阻混沌计算方法研究，2022.1至2023.12，9万元，在研，主持.
[4] 澳门十大娱乐网站平台，澳门十大娱乐网站平台人才引进项目，2021SDKYA009，忆阻理论及其在健康领域的应用研究，2021.01至2024.12，35万元，在研，主持.
[5] 澳门十大娱乐网站平台，校级教育改革研究项目，新工科背景下电气工程及其自动化专业职教团队培养策略研究，2022.07至2024.06,0.3万元，在研，主持.
[6] 广东省教育厅，广东省普通高校重点领域项目，重点项目，2021ZDZX1079，人工智能与主动健康交叉创新关键技术研究，2021.10至2024.10，50万元，在研，参与；
[7] 企业委托项目，横向课题，2021440002006163，车载音频自动均衡校正关键算法及实现，2021.03至2022.11，70万元，在研，参与；
专利论文（Major Publications）：
已发表SCI论文：
[1] Li, Y., Xie, L., Zheng, C.* （郑辞晏）, Yu, D., & Eshraghian, J. K. (2023). Modeling and hardware implementation of universal interface-based floating fractional-order mem-elements. Chaos: An Interdisciplinary Journal of Nonlinear Science, 33(1), 013141.
[2] Li, Y., Luo, J. H., Dai, Q. Y., Eshraghian, J. K., Ling, B. W. K., Zheng, C. Y. （郑辞晏）, & Wang, X. L. (2023). A deep learning approach to cardiovascular disease classification using empirical mode decomposition for ECG feature extraction. Biomedical Signal Processing and Control, 79, 104188.
[3] Zheng, C. （郑辞晏）, Peng, L., Eshraghian, J. K., Wang, X.*, Cen, J., & Iu, H. H. C. (2022). Spiking Neuron Implementation Using a Novel Floating Memcapacitor Emulator. International Journal of Bifurcation and Chaos, 32(15), 2250224.
[4] 郑辞晏, 庄楚源, 李亚*, 练明坚, 梁燕, 于东升. 一种新型浮地记忆元件建模方法及实现. 物理学报, 2021,70(23):357-368
[5] Ciyan Zheng*（郑辞晏）, Dongsheng Yu, Herbert Ho-Ching Iu, Tyrone Fernando, Tingting Sun, Jason K. Eshraghian, and Hengdao Guo, "A Novel Universal Interface for Constructing Memory Elements for Circuit Applications", IEEE Transactions on Circuits and Systems I, vol. 66, no. 12, pp. 4793-4806, 2019.
[6] Ciyan Zheng*（郑辞晏）, Herbert Ho-Ching Iu, Tyrone Fernando, Dongsheng Yu, Hengdao Guo, and Jason K. Eshraghian, "Analysis and Generation of Chaos Using Compositely Connected Coupled Memristors", Chaos: An Interdisciplinary Journal of Nonlinear Science, vol. 26, no. 6, 063115, 2018.
[7] Ciyan Zheng*（郑辞晏）, Dongsheng Yu*, Liang Yan, and Mengke, Chen, "Composite behaviors of dual meminductor circuits", Chinese Physics B, vol. 24, no. 11, p. 110701, 2015.
[8] Hengdao Guo, Ciyan Zheng*（郑辞晏）, Herbert Ho-Ching Iu, Tyrone Fernando, "A critical review of cascading failure analysis and modeling of power system", Renewable & Sustainable Energy Reviews, vol. 80, pp. 9-22, 2017.
[9] Dongsheng Yu, Ciyan Zheng*（郑辞晏）, Herbert Ho-Ching Iu, Tyrone Fernando and Leon O. Chua, "A New Circuit for Emulating Memristors Using Inductive Coupling", IEEE Access, vol. 5, no. 3, pp. 1284-1295, 2017.
[10] Jason K. Eshraghian*, Kyoungrok Cho, Ciyan Zheng（郑辞晏）, Minho Nam, Herbert Ho-Ching Iu, Wen Lei and Kamran Eshraghian, "Neuromorphic Vision Hybrid RRAM-CMOS Architecture", IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 26, no. 12, pp. 2816-2829, 2018.
[11] Dongsheng Yu*, Tingting Sun, Ciyan Zheng（郑辞晏）, Herbert Ho-Ching Iu and Tyrone Fernando, "A Simpler Memristor Emulator Based on Varactor Diode", Chinese Physics Letters, vol. 35, no. 5, 058401, 2018.
奖项：
最佳论文奖 2019 IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems Prize Paper Award（1篇/年） , IEEE Circuits and Systems Society,最佳论文奖励, 国际学术奖, 2019 (Ciyan Zheng).
专利：
[1]郑辞晏,庄楚源,李亚,练明坚,颜坤哲. 一种记忆元件通用模拟器[P]. 广东省：CN113095017B,2022-09-23.（发明专利）
[2] 郑辞晏；庄楚源；李亚；练明坚；颜坤哲；一种记忆元件通用模拟器，2021-10-22，中国，ZL 2021 2 0413252.2（实用新型专利）
[3] 郑辞晏；庄楚源；李亚；颜坤哲；练明坚；蔡璟雯.一种磁通控制型忆容器等效电路2021-10-22，中国，ZL 2021 2 0413273.4（实用新型专利）
[4]李亚；谢立军；郑辞晏；洪庆辉；基于忆阻器的生理电信号滤波去噪电路；2021-10-22, 中国，ZL2020 2 3339743.1（实用新型专利）
[5] 郑辞晏；郭恒道；于东升；周知；姚可正；泰隆费尔南多；一种耦合系数可调的磁链耦合型忆阻器模拟电路，专利号：ZL 2017 1 0488653.2（发明专利）
